RMLV0816BGSA-4S2#AA0, SRAM, 8 Мбит, 512K x 16bit / 1M x 8bit, 2.4В до 3.6В, TSOP-I, 48 вывод(-ов), 45 нс
![RMLV0816BGSA-4S2#AA0, SRAM, 8 Мбит, 512K x 16bit / 1M x 8bit, 2.4В до 3.6В, TSOP-I, 48 вывод(-ов), 45 нс](/file/p_img/1354162.jpg)
Производитель: Renesas Technology, RMLV0816BGSA-4S2#AA0
Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAM • Расширенная LPSRAM 8 МБ (512Kword × 16 бит) • Более высокая плотность, более высокая пр…
RCLAMP0524P.TCT
![RCLAMP0524P.TCT](/file/p_img/1349629.jpg)
Производитель: Semtech
Интегральные схемыкол-во в упаковке: 3000, корпус: SLP2510P810, АБUltra Low Capacitance TVS Arrays Корпус SLP2510P810
NV25640DWHFT3G, EEPROM, 64 Кбит, 8К x 8бит, Serial SPI, 10 МГц, SOIC, 8 вывод(-ов)
![NV25640DWHFT3G, EEPROM, 64 Кбит, 8К x 8бит, Serial SPI, 10 МГц, SOIC, 8 вывод(-ов)](/file/p_img/1324559.jpg)
Производитель: ONSEMI, NV25640DWHFT3G
NV25320DWHFT3G, EEPROM, 32 Кбит, 4К x 8бит, Serial SPI, 10 МГц, SOIC, 8 вывод(-ов)
![NV25320DWHFT3G, EEPROM, 32 Кбит, 4К x 8бит, Serial SPI, 10 МГц, SOIC, 8 вывод(-ов)](/file/p_img/1324557.jpg)
Производитель: ONSEMI, NV25320DWHFT3G
NV25080DWHFT3G
![NV25080DWHFT3G](/file/p_img/1324556.jpg)
Производитель: ON Semiconductor
Полупроводниковые приборы\ИС памяти\EEPROMEEPROM 8KB SPI SER CMOS EE PROM S
NV25080DWHFT3G, EEPROM, 8 Кбит, 1К x 8бит, Serial SPI, 10 МГц, SOIC, 8 вывод(-ов)
![NV25080DWHFT3G, EEPROM, 8 Кбит, 1К x 8бит, Serial SPI, 10 МГц, SOIC, 8 вывод(-ов)](/file/p_img/1324555.jpg)
Производитель: ONSEMI, NV25080DWHFT3G
NV25040DWHFT3G
![NV25040DWHFT3G](/file/p_img/1324554.jpg)
Производитель: ON Semiconductor
Полупроводниковые приборы\ИС памяти\EEPROMEEPROM 4KB SPI SER CMOS EE PROM S
NV25020DWHFT3G
![NV25020DWHFT3G](/file/p_img/1324553.jpg)
Производитель: ON Semiconductor
Встроенные решения\Память и устройства хранения\ИС памяти\EEPROMEEPROM 2KB SPI SER CMOS EE PROM S
NV25010DWHFT3G
![NV25010DWHFT3G](/file/p_img/1324552.jpg)
Производитель: ON Semiconductor
Полупроводниковые приборы\ИС памяти\EEPROMEEPROM 1KB SPI SER CMOS EE PROM
N25S830HAS22I, SRAM, 256 Кбит, 32К x 8бит, 2.7В до 3.6В, SOIC, 8 вывод(-ов)
![N25S830HAS22I, SRAM, 256 Кбит, 32К x 8бит, 2.7В до 3.6В, SOIC, 8 вывод(-ов)](/file/p_img/1319196.jpg)