Микросхемы - Микросхемы памяти - купить, сравнить


Микросхемы памяти

SST25VF020B-80-4I-SAE-T
SST25VF020B-80-4I-SAE-T
Производитель: Microchip Technology

Встроенные решения\Память и устройства хранения\ИС памяти\Флеш-память NORФлеш-память NOR 2.7V to 3.6V 2Mbit SPI Serial Flash

CAT34C02VP2IGT4A
CAT34C02VP2IGT4A
Производитель: ON Semiconductor

Встроенные решения\Память и устройства хранения\ИС памяти\EEPROMEEPROM 2 КБ I2C SER EEPROM SPD

IS61WV51232BLL-10BLI
IS61WV51232BLL-10BLI
Производитель: Integrated Silicon Solution

Полупроводниковые приборы\ИС памяти\Стат. ОЗУСтат. ОЗУ 16M (512Kx32) 10ns Async Стат. ОЗУ 3.3v

IS61WV102416BLL-10TLI-TR
IS61WV102416BLL-10TLI-TR
Производитель: Integrated Silicon Solution

Полупроводниковые приборы\Интегральные схемы - ИС\ИС памяти\Стат. ОЗУСтат. ОЗУ 16M (1Mx16) 10ns Async Стат. ОЗУ 3.3v

25LC256T-I/SN
25LC256T-I/SN
Производитель: Microchip Technology

Микросхемы / Микросхемы памяти / EEPROM памятькорпус: 8-SOIC N, инфо: Энергонезависимое ППЗУ 256К-бит 10МГц 8SOICEEPROM 32kx8 - 2,…

M24C16-WMN6, микросхема памяти 8-SO
M24C16-WMN6, микросхема памяти 8-SO
Производитель: ST Microelectronics, M24C16-WMN6
Интерфейс i2c
Напряжение питания, В 2.5
Корпус so8

микросхемы памятиEEPROM память с I2C интерфейсом, объёмом 16 кбит, в корпусе SOIC-8-3.9. Напряжение питания: 2.5...5.5 В. Рабочая темпера…

M24C16-WBN6, микросхема памяти 8-PDIP
M24C16-WBN6, микросхема памяти 8-PDIP
Производитель: ST Microelectronics, M24C16-WBN6
Интерфейс i2c
Напряжение питания, В 2.5
Корпус pdip8

микросхемы памятиEEPROM память с I2C интерфейсом, объёмом 16 кбит. Напряжение питания: 2.5...5.5 В. Рабочая температура: -40...85C.

M24C02-WMN6P, микросхема памяти EEPROM 2.5-5.5В 2K (256x8) I2C SO8
M24C02-WMN6P, микросхема памяти EEPROM 2.5-5.5В 2K (256x8) I2C SO8
Производитель: ST Microelectronics, M24C02-WMN6P
Корпус so8

микросхемы памятиEEPROM память с I2C интерфейсом, объёмом 2 кбит, в корпусе SO-8. Напряжение питания: 2.5...5.5 В. Рабочая температура: -…

M24C02-WBN6, микросхема памяти EEPROM 5.5В 2K (256x8) PDIP-8
M24C02-WBN6, микросхема памяти EEPROM 5.5В 2K (256x8) PDIP-8
Производитель: ST Microelectronics, M24C02-WBN6
Корпус pdip8

микросхемы памятиEEPROM память с I2C интерфейсом, объёмом 2 кбит. Напряжение питания: 2.5...5.5 В. Рабочая температура: -40...85C.

M24C02-RMN6TP, микросхема памяти EEPROM 1.8-5.5В 2K SO8
M24C02-RMN6TP, микросхема памяти EEPROM 1.8-5.5В 2K SO8
Производитель: ST Microelectronics, M24C02-RMN6TP
Корпус so8

микросхемы памятиEEPROM память с I2C интерфейсом, объёмом 2 кбит, в корпусе SO-8. Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи. Напряжение п…