SST25VF020B-80-4I-SAE-T
![SST25VF020B-80-4I-SAE-T](/file/p_img/1507431.jpg)
Производитель: Microchip Technology
Встроенные решения\Память и устройства хранения\ИС памяти\Флеш-память NORФлеш-память NOR 2.7V to 3.6V 2Mbit SPI Serial Flash
CAT34C02VP2IGT4A
![CAT34C02VP2IGT4A](/file/p_img/1501858.jpg)
Производитель: ON Semiconductor
Встроенные решения\Память и устройства хранения\ИС памяти\EEPROMEEPROM 2 КБ I2C SER EEPROM SPD
IS61WV51232BLL-10BLI
![IS61WV51232BLL-10BLI](/file/p_img/1495968.jpg)
Производитель: Integrated Silicon Solution
Полупроводниковые приборы\ИС памяти\Стат. ОЗУСтат. ОЗУ 16M (512Kx32) 10ns Async Стат. ОЗУ 3.3v
IS61WV102416BLL-10TLI-TR
![IS61WV102416BLL-10TLI-TR](/file/p_img/1495043.jpg)
Производитель: Integrated Silicon Solution
Полупроводниковые приборы\Интегральные схемы - ИС\ИС памяти\Стат. ОЗУСтат. ОЗУ 16M (1Mx16) 10ns Async Стат. ОЗУ 3.3v
25LC256T-I/SN
![25LC256T-I/SN](/file/p_img/1483438.jpg)
Производитель: Microchip Technology
Микросхемы / Микросхемы памяти / EEPROM памятькорпус: 8-SOIC N, инфо: Энергонезависимое ППЗУ 256К-бит 10МГц 8SOICEEPROM 32kx8 - 2,…
M24C16-WMN6, микросхема памяти 8-SO
![M24C16-WMN6, микросхема памяти 8-SO](/file/p_img/1482668.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, M24C16-WMN6
Интерфейс | i2c |
Напряжение питания, В | 2.5 |
Корпус | so8 |
микросхемы памятиEEPROM память с I2C интерфейсом, объёмом 16 кбит, в корпусе SOIC-8-3.9. Напряжение питания: 2.5...5.5 В. Рабочая темпера…
M24C16-WBN6, микросхема памяти 8-PDIP
![M24C16-WBN6, микросхема памяти 8-PDIP](/file/p_img/1482667.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, M24C16-WBN6
Интерфейс | i2c |
Напряжение питания, В | 2.5 |
Корпус | pdip8 |
микросхемы памятиEEPROM память с I2C интерфейсом, объёмом 16 кбит. Напряжение питания: 2.5...5.5 В. Рабочая температура: -40...85C.
M24C02-WMN6P, микросхема памяти EEPROM 2.5-5.5В 2K (256x8) I2C SO8
![M24C02-WMN6P, микросхема памяти EEPROM 2.5-5.5В 2K (256x8) I2C SO8](/file/p_img/1482665.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, M24C02-WMN6P
Корпус | so8 |
микросхемы памятиEEPROM память с I2C интерфейсом, объёмом 2 кбит, в корпусе SO-8. Напряжение питания: 2.5...5.5 В. Рабочая температура: -…
M24C02-WBN6, микросхема памяти EEPROM 5.5В 2K (256x8) PDIP-8
![M24C02-WBN6, микросхема памяти EEPROM 5.5В 2K (256x8) PDIP-8](/file/p_img/1482664.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, M24C02-WBN6
Корпус | pdip8 |
микросхемы памятиEEPROM память с I2C интерфейсом, объёмом 2 кбит. Напряжение питания: 2.5...5.5 В. Рабочая температура: -40...85C.
M24C02-RMN6TP, микросхема памяти EEPROM 1.8-5.5В 2K SO8
![M24C02-RMN6TP, микросхема памяти EEPROM 1.8-5.5В 2K SO8](/file/p_img/1482663.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, M24C02-RMN6TP
Корпус | so8 |
микросхемы памятиEEPROM память с I2C интерфейсом, объёмом 2 кбит, в корпусе SO-8. Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи. Напряжение п…