MB85R4002ANC-GE1, NVRAM, FRAM, 4 Мбит, 256К x 16бит, Параллельный, 120 нс, TSOP, Fujitsu Electric - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Полупроводники - Микросхемы\Память\Энергонезависимая RAM

• Сохранение данных - 10 лет
• Рабочее напряжение источника питания - от 3 до 3,6 В
• Низкое энергопотребление

Производитель

Fujitsu Electric

Артикул

MB85R4002ANC-GE1

Категория

Микросхемы памяти

Номенклатурный номер

1284933

Максимальная рабочая температура

85 C

Минимальная рабочая температура

-40 C

Время доступа

120нс

Размер памяти

4Мбит

Вес, г

29.57

Максимальное Напряжение Питания

3.6В

Минимальное Напряжение Питания

3В

Количество Выводов

48вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 3 - 168 часов

Тип Интерфейса ИС

параллельный

Стиль Корпуса Микросхемы Памяти

TSOP

Тип памяти

FRAM

Конфигурация Памяти NVRAM

256К x 16бит

MB85R4002ANC-GE1, NVRAM, FRAM, 4 Мбит, 256К x 16бит, Параллельный, 120 нс, TSOP - характеристики, поставщики