ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
32GB Samsung DDR4 2666 SO DIMM M471A4G43MB1-CTD Non-ECC, CL19, 1.2V, 2Rx8, 2048x128, Bulk {75} - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Samsung Electronics
32GB Samsung DDR4 2666 SO DIMM M471A4G43MB1-CTD Non-ECC, CL19, 1.2V, 2…
Электроника и техника
Автомобильная техника и электроника
Аксессуары для компьютеров и ноутбуков
Аудио-видео техника
Бытовая техника
Запчасти для Apple
Запчасти для бытовой техники
Запчасти для ноутбуков
Запчасти для планшетов
Запчасти для смартфонов
Компьютеры и комплектующие
Носители информации
Ноутбуки и планшеты
Оргтехника и расходные материалы
Портативная электроника
Программное обеспечение
Серверы и СХД
Сетевое оборудование
Смартфоны и гаджеты
Спорт, активный отдых, хобби
Телекоммуникационное оборудование
Цифровое фото и видео
Компьютеры и комплектующие
Блоки питания
352
Видеокарты
54
Жесткие Диски
407
Звуковые Карты
3
Компьютеры
87
Контроллеры
78
Корпуса
334
Материнские Платы
281
Накопители SSD
316
Память оперативная
333
Платформы NUC
176
Приводы
16
Процессоры
183
Устройства охлаждения
344
Память оперативная
333
32GB Samsung DDR4 2666 SO DIMM M471A4G43MB1-CTD Non-ECC, CL19, 1.2V, 2Rx8, 2048x128, Bulk {75}
Последняя цена
15020 руб.
Сравнить
Описание
Модуль памяти
Серия продукции: M471 Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: SODIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля, ГБ: 32 Количество модулей в комплекте, шт: 1 Суммарный объем, ГБ: 32 Эффективная частота, МГц: 2666 Пропускная способность, Мб/с: 21300 Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле, шт: 16 Количество контактов: 260 CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 40 Напряжение питания, В: 1.2 Нормальная операционная температура, °C: 85 Расширенная операционная температура, °C: 95 Габариты: Ширина, мм: 69.6 Высота, мм: 30 Вид поставки: OEM
Информация
Производитель
Samsung Electronics
Артикул
M471A4G43MB1-CTDDY
Категория
Память оперативная
Номенклатурный номер
1838883
Технические параметры
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
Unbuffered
Вес, г
14.28
Количество контактов
260
Activate to Precharge Delay (tRAS)
40
CAS Latency (CL)
19
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Низкопрофильная
Нет
Вид поставки
OEM
Высота, мм
30
Количество модулей в комплекте, шт
1
Количество чипов на модуле, шт
16
Напряжение питания, В
1.2
Нормальная операционная температура, °C
85
Объем одного модуля, ГБ
32
Поддержка ECC
Нет
Пропускная способность, Мб/с
21300
Расширенная операционная температура, °C
95
Серия продукции
M471
Стандарт памяти
DDR4
Суммарный объем, ГБ
32
Ширина, мм
69.6
Эффективная частота, МГц
2666