8GB Samsung DDR4 2933 DIMM M378A1K43EB2-CVF00 Non-ECC, CL21, 1.2V, 1Rx8, Bulk, Samsung Electronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3000 руб.

Сравнить

Описание

Модуль памяти

Серия продукции: M378 Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля, ГБ: 8 Количество модулей в комплекте, шт: 1 Суммарный объем, ГБ: 8 Эффективная частота, МГц: 2933 Пропускная способность, Мб/с: 23400 Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле, шт: 8 Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 21 RAS to CAS Delay (tRCD): 21 Row Precharge Delay (tRP): 21 Activate to Precharge Delay (tRAS): 44 Напряжение питания, В: 1.2 Нормальная операционная температура, °C: 85 Расширенная операционная температура, °C: 95 Габариты: Ширина, мм: 133.35 Высота, мм: 31.25 Вид поставки: OEM

Информация

Производитель

Samsung Electronics

Артикул

M378A1K43EB2-CVF

Категория

Память оперативная

Номенклатурный номер

1837827

Технические параметры

Форм-фактор

DIMM

Частота, МГц

2933

Тип памяти

Unbuffered

Вес, г

31.44

Количество контактов

288

Бренд

SAMSUNG

Задержка (тест)

21-21-21

Модель

M378A1K43EB2-CVF

Напряжение (тест)

1.2В

Скорость (тест)

2933MHz

Activate to Precharge Delay (tRAS)

CAS Latency (CL)

RAS to CAS Delay (tRCD)

Row Precharge Delay (tRP)

Количество модулей в комплекте, шт.

Низкопрофильная

Нет

Общий объем, Гбайт

Объем одного модуля, Гбайт

Подсветка

Нет

Пропускная способность

PC4-23466

Радиатор

Нет

Вид поставки

OEM

Высота, мм

31.25

Количество модулей в комплекте, шт

Количество чипов на модуле, шт

Напряжение питания, В

1.2

Нормальная операционная температура, °C

Объем одного модуля, ГБ

Поддержка ECC

Нет

Пропускная способность, Мб/с

23400

Расширенная операционная температура, °C

Серия продукции

M378

Стандарт памяти

DDR4

Суммарный объем, ГБ

Ширина, мм

133.35

Эффективная частота, МГц

2933

8GB Samsung DDR4 2933 DIMM M378A1K43EB2-CVF00 Non-ECC, CL21, 1.2V, 1Rx8, Bulk - характеристики, поставщики

Последняя цена 3000 руб.