L6386ED013TR, Gate Driver, 2 канал(-ов), Высокая Сторона и Низкая Сторона, MOSFET, 14 вывод(-ов), SOIC, Inverting, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 300 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Gate Drivers

Драйверы FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; Опции: Вход сброса, Флаг защиты
Корпус SO-14, Кол-во нижних каналов 1, Кол-во верхних каналов 1, Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 400 мА, Максимальный выходной ток спада 650 мА

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

L6386ED013TR

Категория

Драйверы MOSFET и IGBT

Номенклатурный номер

1262089

Технические параметры

Количество каналов

2канал(-ов)

Минимальная Рабочая Температура

-40 C

Максимальная Рабочая Температура

125 C

Максимальное Напряжение Питания

17В

Количество Выводов

14вывод(-ов)

Стиль Корпуса Привода

SOIC

Задержка по Входу

110нс

Задержка Выхода

110нс

Конфигурация Привода

Высокая Сторона и Низкая Сторона

Power Switch Type

MOSFET

Количество выходов

Количество драйверов

Вес, г

0.13

Input Type

inverting

Sink Current

650мА

Source Current

400ма

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Пиковый Выходной Ток

0.65A

Длина

8.75мм

Полярность

Неинвертирующий

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.65мм

Максимальное рабочее напряжение питания

17 В

Число контактов

Тип корпуса

SOIC

Производитель

STMicroelectronics

Топология

Полумост

Логическая совместимость входного сигнала

CMOS, TTL

Размеры

8.75 x 4 x 1.65мм

Тип перемычки

Полумост

Зависимость стороны высокого и низкого давления

Синхронный

L6386ED013TR, Gate Driver, 2 канал(-ов), Высокая Сторона и Низкая Сторона, MOSFET, 14 вывод(-ов), SOIC, Inverting - характеристики, поставщики

Последняя цена 300 руб.