ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXYP8N90C3D1, Транзистор IGBT, GenX3™, 900В, 8А, 125Вт, TO220-3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXYP8N90C3D1, Транзистор IGBT, GenX3™, 900В, 8А, 125Вт, TO220-3
Средства разработки, конструкторы, модули
3D принтеры и ЧПУ станки
Arduino совместимые платы и робототехника
Аксессуары для умного дома
Конвертеры интерфейсов
Литература по программированию и электротехнике
110
Материалы для моделирования
34
Модульная аппаратно-программная платформа TPS
55
Наборы и модули
Отладочные платы, наборы, модули расширения
Программное обеспечение для разработчиков
10
Развивающие конструкторы
49
Системы контроля доступа
Средства программирования
Электронные развивающие конструкторы
78
Наборы и модули
Автомобильная электроника
127
ЖК панели и аксессуары
66
Измерительная техника
23099
Источники питания
67
Модули
342
Охранные устройства
6
Программаторы, тестеры и отлад. устройства
10
Прочие наборы и модули
120
Регуляторы света
3
Световые эффекты
51
Системы дистанционного управления
5
Усилители НЧ
16
Устройства автоматики
79
Устройства обработки аудио сигналов
4
Электронные звуковые эффекты
7
Электронные помощники
23
Измерительная техника
23099
IXYP8N90C3D1, Транзистор IGBT, GenX3™, 900В, 8А, 125Вт, TO220-3
Последняя цена
730 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBTs
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXYP8N90C3D1
Категория
Измерительная техника
Номенклатурный номер
2074352
Технические параметры
Вес, г
2
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
55 C
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
50
Серия
IXYP8N90
Тип продукта
IGBT Transistors
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Коммерческое обозначение
XPT
Вид монтажа
Through Hole
Pd - рассеивание мощности
125 W
Упаковка / блок
TO-220-3
Конфигурация
Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
900 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2.15 V
Технология
Si
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
30 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
20 A
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
20 A
Техническая документация
Datasheet IXYP8N90C3D1 , pdf
, 346 КБ