IXYP8N90C3D1, Транзистор IGBT, GenX3™, 900В, 8А, 125Вт, TO220-3, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 730 руб.

Сравнить

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBTs

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXYP8N90C3D1

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2074352

Технические параметры

Вес, г

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Минимальная рабочая температура

55 C

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Серия

IXYP8N90

Тип продукта

IGBT Transistors

Торговая марка

IXYS

Упаковка

Tube

Коммерческое обозначение

XPT

Вид монтажа

Through Hole

Pd - рассеивание мощности

125 W

Упаковка / блок

TO-220-3

Конфигурация

Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

900 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.15 V

Технология

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

30 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

20 A

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

20 A

Техническая документация

Datasheet IXYP8N90C3D1 , pdf , 346 КБ

IXYP8N90C3D1, Транзистор IGBT, GenX3™, 900В, 8А, 125Вт, TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 730 руб.

Техническая документация