ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXTH16P60P, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXTH16P60P, Транзистор
Средства разработки, конструкторы, модули
3D принтеры и ЧПУ станки
Arduino совместимые платы и робототехника
Аксессуары для умного дома
Конвертеры интерфейсов
Литература по программированию и электротехнике
110
Материалы для моделирования
34
Модульная аппаратно-программная платформа TPS
55
Наборы и модули
Отладочные платы, наборы, модули расширения
Программное обеспечение для разработчиков
10
Развивающие конструкторы
49
Системы контроля доступа
Средства программирования
Электронные развивающие конструкторы
78
Наборы и модули
Автомобильная электроника
127
ЖК панели и аксессуары
66
Измерительная техника
23099
Источники питания
67
Модули
342
Охранные устройства
6
Программаторы, тестеры и отлад. устройства
10
Прочие наборы и модули
120
Регуляторы света
3
Световые эффекты
51
Системы дистанционного управления
5
Усилители НЧ
16
Устройства автоматики
79
Устройства обработки аудио сигналов
4
Электронные звуковые эффекты
7
Электронные помощники
23
Измерительная техника
23099
IXTH16P60P, Транзистор
Последняя цена
1880 руб.
Сравнить
Описание
P-канал 600V 16A (Tc) 460W (Tc) сквозное отверстие TO-247 (IXTH)
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXTH16P60P
Категория
Измерительная техника
Номенклатурный номер
1806732
Технические параметры
Вес, г
6
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Package
Tube
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
PolarPв„ў ->
California Prop 65
Warning Information
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247 (IXTH)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
FET Type
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
92nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5120pF @ 25V
Power Dissipation (Max)
460W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
720mOhm @ 500mA, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250ВµA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 133 КБ