IXFR32N100Q3, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 23А, 570Вт, ISOPLUS247™, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 5030 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой МОП-транзистор IXYS HiperFET ™ серии Q3
Силовые МОП-транзисторы HiperFET ™ класса IXYS Q3 подходят как для жесткого переключения, так и для приложений в резонансном режиме и обеспечивают низкий заряд затвора при исключительной прочности. Устройства включают в себя быстрый внутренний диод и доступны во множестве стандартных корпусов, включая изолированные типы, с номиналами до 1100 В и 70 А. Типичные области применения включают преобразователи постоянного тока в постоянный, зарядные устройства, импульсные и резонансные источники питания, прерыватели постоянного тока, управление температурой и освещением.

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFR32N100Q3

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2074367

Технические параметры

Вес, г

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

Серия

HiperFET, Q3-Class

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

IXYS

Упаковка

Tube

Brand

IXYS

Коммерческое обозначение

HyperFET

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Вид монтажа

Through Hole

Length

16.13мм

Высота

21.34mm

Pd - рассеивание мощности

570 W

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Number of Elements per Chip

Package Type

ISOPLUS247

Width

5.21mm

Pin Count

Конфигурация

Single

Transistor Configuration

Одинарный

Тип транзистора

1 N-Channel

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Maximum Continuous Drain Current

23 А

Maximum Power Dissipation

570 W

Maximum Gate Threshold Voltage

6.5V

Maximum Drain Source Resistance

350 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

1000 В

Typical Gate Charge @ Vgs

195 nC @ 10 V

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Id - непрерывный ток утечки

23 A

Qg - заряд затвора

195 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

350 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1 kV

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Время нарастания

300 ns

Техническая документация

Datasheet IXFR32N100Q3 , pdf , 141 КБ

IXFR32N100Q3, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 23А, 570Вт, ISOPLUS247™ - характеристики, поставщики

Последняя цена 5030 руб.

Техническая документация