ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFR32N100Q3, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 23А, 570Вт, ISOPLUS247™ - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFR32N100Q3, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 23А, 570Вт, ISOPLUS247™
Средства разработки, конструкторы, модули
3D принтеры и ЧПУ станки
Arduino совместимые платы и робототехника
Аксессуары для умного дома
Конвертеры интерфейсов
Литература по программированию и электротехнике
110
Материалы для моделирования
34
Модульная аппаратно-программная платформа TPS
55
Наборы и модули
Отладочные платы, наборы, модули расширения
Программное обеспечение для разработчиков
10
Развивающие конструкторы
49
Системы контроля доступа
Средства программирования
Электронные развивающие конструкторы
78
Наборы и модули
Автомобильная электроника
127
ЖК панели и аксессуары
66
Измерительная техника
23099
Источники питания
67
Модули
342
Охранные устройства
6
Программаторы, тестеры и отлад. устройства
10
Прочие наборы и модули
120
Регуляторы света
3
Световые эффекты
51
Системы дистанционного управления
5
Усилители НЧ
16
Устройства автоматики
79
Устройства обработки аудио сигналов
4
Электронные звуковые эффекты
7
Электронные помощники
23
Измерительная техника
23099
IXFR32N100Q3, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 23А, 570Вт, ISOPLUS247™
Последняя цена
5030 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор IXYS HiperFET ™ серии Q3
Силовые МОП-транзисторы HiperFET ™ класса IXYS Q3 подходят как для жесткого переключения, так и для приложений в резонансном режиме и обеспечивают низкий заряд затвора при исключительной прочности. Устройства включают в себя быстрый внутренний диод и доступны во множестве стандартных корпусов, включая изолированные типы, с номиналами до 1100 В и 70 А. Типичные области применения включают преобразователи постоянного тока в постоянный, зарядные устройства, импульсные и резонансные источники питания, прерыватели постоянного тока, управление температурой и освещением.
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFR32N100Q3
Категория
Измерительная техника
Номенклатурный номер
2074367
Технические параметры
Вес, г
5
Категория продукта
МОП-транзистор
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
30
Серия
HiperFET, Q3-Class
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Brand
IXYS
Коммерческое обозначение
HyperFET
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Вид монтажа
Through Hole
Length
16.13мм
Высота
21.34mm
Pd - рассеивание мощности
570 W
Количество каналов
1 Channel
Упаковка / блок
TO-247-3
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Number of Elements per Chip
1
Package Type
ISOPLUS247
Width
5.21mm
Pin Count
3
Конфигурация
Single
Transistor Configuration
Одинарный
Тип транзистора
1 N-Channel
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Maximum Continuous Drain Current
23 А
Maximum Power Dissipation
570 W
Maximum Gate Threshold Voltage
6.5V
Maximum Drain Source Resistance
350 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
1000 В
Typical Gate Charge @ Vgs
195 nC @ 10 V
Transistor Material
Кремний
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-30 В, +30 В
Id - непрерывный ток утечки
23 A
Qg - заряд затвора
195 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
350 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1 kV
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Время нарастания
300 ns
Техническая документация
Datasheet IXFR32N100Q3 , pdf
, 141 КБ