IXFN44N100Q3, Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 38А, SOT227B, Ugs ±40В, винтами, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 7280 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой МОП-транзистор IXYS HiperFET ™ серии Q3
Силовые МОП-транзисторы HiperFET ™ класса IXYS Q3 подходят как для жесткого переключения, так и для приложений в резонансном режиме и обеспечивают низкий заряд затвора при исключительной прочности. Устройства включают в себя быстрый внутренний диод и доступны во множестве стандартных корпусов, включая изолированные типы, с номиналами до 1100 В и 70 А. Типичные области применения включают преобразователи постоянного тока в постоянный, зарядные устройства, импульсные и резонансные источники питания, прерыватели постоянного тока, управление температурой и освещением.

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFN44N100Q3

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

1253923

Технические параметры

Вес, г

30.01

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Минимальная рабочая температура

-55 C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

Серия

HiperFET, Q3-Class

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

IXYS

Упаковка

Tube

Brand

IXYS

Коммерческое обозначение

HyperFET

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на панель

Package

Tube

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

HiPerFETв„ў ->

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Тип монтажа

Монтаж на панель

Ширина

25.07мм

Вид монтажа

Chassis Mount

Length

38.23mm

Высота

9.6мм

California Prop 65

Warning Information

Pd - рассеивание мощности

960 W

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

SOT-227-4

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package / Case

SOT-227-4, miniBLOC

Supplier Device Package

SOT-227B

Страна происхождения

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Number of Elements per Chip

Package Type

SOT-227B

Width

25.07mm

Pin Count

Конфигурация

Single

Количество элементов на ИС

Transistor Configuration

Одинарный

Тип корпуса

SOT-227B

Максимальное рассеяние мощности

960 Вт

Тип транзистора

1 N-Channel

Число контактов

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Maximum Continuous Drain Current

38 А

Maximum Power Dissipation

960 W

Maximum Gate Threshold Voltage

6.5V

Maximum Drain Source Resistance

220 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

1000 В

Typical Gate Charge @ Vgs

264 nC @ 10 V

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Id - непрерывный ток утечки

38 A

Qg - заряд затвора

264 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

220 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1 kV

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Время нарастания

300 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

38A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

264nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

13600pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

960W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

220mOhm @ 22A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 8mA

Максимальный непрерывный ток стока

38 A

Материал транзистора

Кремний

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Типичный заряд затвора при Vgs

264 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное пороговое напряжение включения

6.5V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

38A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

960W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

1000V

Vgs - Gate-Source Voltage

6.5V @ 8mA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet IXFN44N100Q3 , pdf , 123 КБ
Datasheet IXFN44N100Q3 , pdf , 123 КБ
Datasheet IXFN44N100Q3 , pdf , 127 КБ

IXFN44N100Q3, Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 38А, SOT227B, Ugs ±40В, винтами - характеристики, поставщики

Последняя цена 7280 руб.

Техническая документация