IXFH15N100P, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 15А, 543Вт, TO247-3 - характеристики, поставщики

IXFH15N100P, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 15А, 543Вт, TO247-3

Последняя цена 1180 руб.

IXFH15N100P, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 15А, 543Вт, TO247-3

Сравнить

Описание

МОП-транзистор 15 Amps 1000V 0.76 Rds

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFH15N100P

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2159493

Технические параметры

Вес, г

6

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Минимальная рабочая температура

55 C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

30

Серия

IXFH15N100P

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

IXYS

Упаковка

Tube

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Тип

Polar Power MOSFET HiPerFET

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Package

Tube

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

HiPerFETв„ў, PolarP2в„ў ->

Ширина

5.3 mm

Длина

16.26 mm

Вид монтажа

Through Hole

Высота

21.46 mm

California Prop 65

Warning Information

Pd - рассеивание мощности

543 W

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package / Case

TO-247-3

Supplier Device Package

TO-247AD (IXFH)

Конфигурация

Single

Тип транзистора

1 N-Channel

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Si

Id - непрерывный ток утечки

15 A

Qg - заряд затвора

97 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

760 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1 kV

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

6.5 V

Время нарастания

44 ns

Время спада

58 ns

Канальный режим

Enhancement

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

6.5 S

Типичное время задержки выключения

44 ns

Типичное время задержки при включении

41 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

15A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

97nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

5140pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

543W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

760mOhm @ 500mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Техническая документация

Datasheet IXFH15N100P , pdf , 184 КБ
Datasheet IXFH15N100P , pdf , 178 КБ