IXDN609SIA, Драйвер FET-IGBT, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 280 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Аналоговые и смешанные микросхемы\Драйверы MOSFET/IGBT

Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC Tube
Корпус SO-8

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXDN609SIA

Категория

Драйверы MOSFET и IGBT

Номенклатурный номер

1832889

Технические параметры

Количество каналов

1канал(-ов)

Минимальная Рабочая Температура

-40 C

Максимальная Рабочая Температура

125 C

Максимальное Напряжение Питания

35В

Минимальное Напряжение Питания

4.5В

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Привода

SOIC

Задержка по Входу

40нс

Задержка Выхода

42нс

Конфигурация Привода

Низкая Сторона

Power Switch Type

MOSFET

Вес, г

0.1

Input Type

Non-Inverting

Sink Current

9А

Source Current

9А

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Пиковый Выходной Ток

9А

Number of Drivers

Channel Type

Single

Current - Peak Output (Source, Sink)

9A, 9A

Driven Configuration

Low-Side

ECCN

EAR99

Gate Type

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

HTSUS

8542.39.0001

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width)

Rise / Fall Time (Typ)

22ns, 15ns

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

8-SOIC

Voltage - Supply

4.5V ~ 35V

Logic Voltage - VIL, VIH

0.8V, 3V

REACH Status

REACH Unaffected

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 289 КБ

IXDN609SIA, Драйвер FET-IGBT - характеристики, поставщики

Последняя цена 280 руб.

Техническая документация