IXDN55N120D1, Модуль БТИЗ, 1200В 100A 450Вт SOT227B, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3440 руб.

Сравнить

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 55 Amps 1200V

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXDN55N120D1

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2179622

Технические параметры

Вес, г

5.5

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Минимальная рабочая температура

40 C

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Серия

IXDN55N120

Тип продукта

IGBT Transistors

Торговая марка

IXYS

Упаковка

Tube

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Chassis Mount

Package

Tube

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Ширина

25.42 mm

Длина

38.23 mm

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

9.6 mm

California Prop 65

Warning Information

Упаковка / блок

SOT-227B-4

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package / Case

SOT-227-4, miniBLOC

Supplier Device Package

SOT-227B

Configuration

Single

Конфигурация

Single Dual Emitter

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.3 V

Технология

Current - Collector (Ic) (Max)

100A

Current - Collector Cutoff (Max)

3.8mA

Power - Max

450W

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Непрерывный коллекторный ток

100 A

IGBT Type

NPT

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 55A

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20 V

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

100 A

Input

Standard

Input Capacitance (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

NTC Thermistor

Техническая документация

Datasheet IXDN55N120D1 , pdf , 122 КБ

IXDN55N120D1, Модуль БТИЗ, 1200В 100A 450Вт SOT227B - характеристики, поставщики

Последняя цена 3440 руб.

Техническая документация