62WV25616EBLL45TLI, IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,2?3,6В; 45нс; TSOP44 II; -40?85°C, Integrated Silicon Solution - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 840 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельные

Стат. ОЗУ 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS

Информация

Производитель

Integrated Silicon Solution

Артикул

IS62WV25616EBLL-45TLI

Категория

Микросхемы памяти

Номенклатурный номер

2115064

Технические параметры

Максимальная рабочая температура

+ 85 C

Минимальная рабочая температура

40 C

Организация

256 k x 16

Тип интерфейса

Parallel

Вид монтажа

SMD/SMT

Время доступа

45 ns

Категория продукта

Стат. ОЗУ

Напряжение питания - макс.

22 mA, 3.6 V

Напряжение питания - мин.

2.2 V

Подкатегория

Memory Data Storage

Размер памяти

4 Mbit

Размер фабричной упаковки

135

Серия

IS62WV25616EBLL

Тип продукта

SRAM

Торговая марка

ISSI

Упаковка / блок

TSOP-44

Access Time

45ns

ECCN

3A991B2A

HTSUS

8542.32.0041

Memory Format

SRAM

Memory Interface

Parallel

Memory Size

4Mb (256K x 16)

Memory Type

Volatile

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 85В°C (TA)

Package

Tray

Package / Case

44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

44-TSOP II

Technology

SRAM - Asynchronous

Voltage - Supply

2.2V ~ 3.6V

Write Cycle Time - Word, Page

45ns

Вес, г

0.2

Коммерческое обозначение

PowerSaver

Тип

Asynchronous

Тип памяти

SDR

Чувствительный к влажности

Yes

Техническая документация

Datasheet , pdf , 750 КБ
Datasheet , pdf , 649 КБ
Datasheet IS62WV25616EBLL-45TLI , pdf , 777 КБ

62WV25616EBLL45TLI, IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,2?3,6В; 45нс; TSOP44 II; -40?85°C - характеристики, поставщики

Последняя цена 840 руб.

Техническая документация