IS61WV5128BLL-10TLI, SRAM, 4 Мбит, 512К x 8бит, 2.4В до 3.6В, TSOP-II, 44 вывод(-ов), 10 нс, Integrated Silicon Solution - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 560 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAM

Статическая RAM, ISSI
В продуктах со статической RAM ISSI используется высокопроизводительная технология CMOS. Существует широкий спектр статических ОЗУ, которые включают высокоскоростную асинхронную SRAM 5 В, высокоскоростную асинхронную SRAM с низким энергопотреблением, асинхронные SRAM с низким энергопотреблением 5 В, статическое ОЗУ CMOS сверхнизкого энергопотребления и асинхронные статические ОЗУ PowerSaver TM с низким энергопотреблением. Устройства ISSI SRAM бывают разного напряжения, размера памяти и организации. Они подходят для таких приложений, как кэш-память ЦП, встроенные процессоры, жесткие диски и переключатели на промышленную электронику.

Информация

Производитель

Integrated Silicon Solution

Артикул

IS61WV5128BLL-10TLI

Категория

Микросхемы памяти

Номенклатурный номер

1252871

Технические параметры

Максимальная рабочая температура

85 C

Длина

18.54мм

Минимальное рабочее напряжение питания

2,4 В

Объем памяти

4Мбит

Минимальная рабочая температура

-40 C

Ширина

10.29мм

Организация

512К x 8 бит

Высота

1.05мм

Тип интерфейса

Parallel

Вид монтажа

SMD/SMT

Время доступа

10нс

Категория продукта

Стат. ОЗУ

Напряжение питания - макс.

45 mA, 3.6 V

Напряжение питания - мин.

2.4 V

Подкатегория

Memory Data Storage

Размер памяти

4Мбит

Размер фабричной упаковки

135

Серия

IS61WV5128BLL

Тип продукта

SRAM

Торговая марка

ISSI

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TSOP-44

Access Time

10ns

ECCN

3A991B2A

HTSUS

8542.32.0041

Memory Format

SRAM

Memory Interface

Parallel

Memory Size

4Mb (512K x 8)

Memory Type

Volatile

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-40В°C ~ 85В°C (TA)

Package

Tray

Package / Case

44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

44-TSOP II

Technology

SRAM - Asynchronous

Voltage - Supply

2.4V ~ 3.6V

Write Cycle Time - Word, Page

10ns

Brand

ISSI

Вес, г

5.04

Количество Выводов

44вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 3 - 168 часов

Стиль Корпуса Микросхемы Памяти

TSOP-II

Chip Density (bit)

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Operating Supply Voltage (V)

3.6

Maximum Operating Temperature (°C)

Minimum Operating Supply Voltage (V)

2.4

Minimum Operating Temperature (°C)

-40

Mounting

Surface Mount

Operating Current (mA)

Part Status

NRND

PCB changed

Pin Count

Standard Package Name

SOP

Supplier Package

TSOP-II

Supplier Temperature Grade

Industrial

Typical Operating Supply Voltage (V)

2.5|3.3

Package Height

1.05(Max)

Package Length

18.52(Max)

Package Width

10.29(Max)

Ширина адресной шины

19бит

Maximum Operating Temperature

+85 °C

Package Type

Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Random Access Time

10нс

Maximum Operating Supply Voltage

3,6 В

Dimensions

18.54 x 10.29 x 1.05мм

Number of Bits per Word

8бит

Диапазон Напряжения Питания

2.4В до 3.6В

Конфигурация Памяти SRAM

512К x 8бит

Тип

Asynchronous

Тип памяти

SDR

Max. Access Time (ns)

HTS

8542.32.00.41

Чувствительный к влажности

Yes

Number of Words

512K

Address Bus Width (bit)

Тип синхронизации

Асинхронный

Timing Type

Asynchronous

Количество портов

Number of Bits/Word (bit)

Data Rate Architecture

SDR

Number of Ports

Техническая документация

Datasheet , pdf , 547 КБ
Datasheet , pdf , 546 КБ
Datasheet , pdf , 562 КБ

IS61WV5128BLL-10TLI, SRAM, 4 Мбит, 512К x 8бит, 2.4В до 3.6В, TSOP-II, 44 вывод(-ов), 10 нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 560 руб.

Техническая документация