IS61WV51216BLL-10TLI, SRAM, 8 Мбит, 512К x 16бит, 2.4В до 3.6В, TSOP-II, 44 вывод(-ов), 10 нс
IS61WV51216BLL-10TLI - это высокоскоростное статическое ОЗУ объемом 8 Мб, организованное как 512 КБ слов по 16 бит. Он изготовлен с использованием высокопроизводительной CMOS-технологии ISSI. Этот высоконадежный процесс в сочетании с инновационными методами проектирования схем позволяет получать устройства с высокими характеристиками и низким энергопотреблением. Когда CE установлен на HIGH (не выбран), устройство переходит в режим ожидания, в котором рассеиваемая мощность может быть уменьшена с помощью входных уровней CMOS. Простое расширение памяти обеспечивается за счет использования входов Chip Enable и Output Enable, CE и OE. Активное LOW Write Enable (WE) управляет как записью, так и чтением памяти. Байт данных обеспечивает доступ к старшим (UB) и младшим (LB) байтам.
• Высокопроизводительный процесс CMOS с низким энергопотреблением • Несколько выводов центрального питания и заземления для большей помехоустойчивости • Простое расширение памяти с помощью опций CE и OE • Отключение питания CE • Полностью статическая работа, не требуются часы или обновление • TTL-совместимые входы и выходы • Контроль данных для старших и младших байтов
