IRS2109SPBF, Драйвер FET-IGBT SO8, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 350 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Аналоговые и смешанные микросхемы\Драйверы MOSFET/IGBT

MOSFET, amp; Драйверы затвора IGBT, полумост, Infineon
ИС драйверов затвора от Infineon для управления силовыми устройствами MOSFET или IGBT в полумостовых конфигурациях.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRS2109SPBF

Категория

Драйверы MOSFET и IGBT

Номенклатурный номер

2147954

Технические параметры

Минимальная Рабочая Температура

-40 °C

Максимальная Рабочая Температура

+125 °C

Pd - рассеивание мощности

625 mW

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

220 ns

Время спада

80 ns

Выходной ток

290 mA

Задержка распространения - макс.

950 ns

Категория продукта

Драйверы для управления затвором

Количество выходов

Количество драйверов

Напряжение питания - макс.

20 V

Напряжение питания - мин.

10 V

Подкатегория

PMIC - Power Management ICs

Продукт

Half-Bridge Drivers

Рабочий ток источника питания

1.6 mA

Размер фабричной упаковки

3800

Технология

Тип

Half-Bridge

Тип логики

CMOS, TTL

Тип продукта

Gate Drivers

Торговая марка

Infineon / IR

Упаковка / блок

PDIP-14

Чувствительный к влажности

Yes

Вес, г

0.7

Input Type

Non-Inverting

Пиковый Выходной Ток

0.6A

Упаковка

Tube

Максимальное время задержки включения

750 ns

Максимальное время задержки выключения

200 ns

Длина

5мм

Minimum Operating Supply Voltage

10 В

Brand

Infineon

Полярность

Инвертирующий, неинвертирующий

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Максимальное рабочее напряжение питания

20 V

Число контактов

High and Low Sides Dependency

Синхронный

Number of Drivers

Channel Type

Synchronous

Current - Peak Output (Source, Sink)

290mA, 600mA

Driven Configuration

Half-Bridge

ECCN

EAR99

Gate Type

IGBT, N-Channel MOSFET

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

HTSUS

8542.39.0001

Moisture Sensitivity Level (MSL)

2 (1 Year)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width)

Rise / Fall Time (Typ)

100ns, 35ns

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

8-SOIC

Voltage - Supply

10V ~ 20V

Length

5мм

Polarity

Инвертирующий, неинвертирующий

Тип корпуса

SOIC

Logic Voltage - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Рабочее напряжение питания

10 V to 20 V

Width

4мм

Производитель

Infineon

Base Product Number

IRS2109 ->

REACH Status

REACH Unaffected

Топология

Полумост

Логическая совместимость входного сигнала

CMOS, LSTTL

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Минимальное рабочее напряжение питания

10 V

Особенности

Synchronous

Тип перемычки

Полумост

Зависимость стороны высокого и низкого давления

Синхронный

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1705 КБ
Datasheet , pdf , 652 КБ

IRS2109SPBF, Драйвер FET-IGBT SO8 - характеристики, поставщики

Последняя цена 350 руб.

Техническая документация