IRLD014PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 1,2А, 1,3Вт, HVMDIP, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

• Dynamic dV
• рейтинг в точках
• Для автоматической вставки
• Возможность наращивания конца
• Привод логического уровня
• Быстрое переключение
• Для автоматической вставки
• Конец штабелируемый

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

IRLD014PBF

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2145381

Технические параметры

Вес, г

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Упаковка

Tube

Производитель

Vishay

Brand

Vishay

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Package

Tube

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

6.29мм

Длина

5мм

Вид монтажа

Through Hole

Base Product Number

IRLD014 ->

Высота

3.37мм

Размеры

5 x 6.29 x 3.37мм

Pd - рассеивание мощности

1.3 W

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

DIP-4

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package / Case

4-DIP (0.300"", 7.62mm)

Supplier Device Package

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Конфигурация

Single

Количество элементов на ИС

Transistor Configuration

Одинарный

Тип корпуса

HVMDIP

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Тип транзистора

1 N-Channel

Число контактов

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Minimum Gate Threshold Voltage

Maximum Drain Source Resistance

200 мΩ

Id - непрерывный ток утечки

1.7 A

Qg - заряд затвора

8.4 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

200 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V, + 10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Время нарастания

110 ns

Время спада

26 ns

Канальный режим

Enhancement

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

1.9 S

Типичное время задержки выключения

17 нс

Типичное время задержки при включении

9.3 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1.7A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 5V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

1.3W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 1A, 5V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250ВµA

Максимальный непрерывный ток стока

1,7 А

Материал транзистора

Типичное время задержки включения

9,3 нс

Максимальное сопротивление сток-исток

200 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

8,4 нКл при 5 В

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

400 pF @ 25 V

Тип канала

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 V, +10 V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

1.7A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1.3W

Rds On - Drain-Source Resistance

200mО© @ 1A,5V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

2V @ 250uA

Минимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1730 КБ
Datasheet IRLD014PBF , pdf , 840 КБ
Datasheet IRLD014PBF , pdf , 1729 КБ

IRLD014PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 1,2А, 1,3Вт, HVMDIP - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация