IRFR5505TRPBF, Транзистор, Р-канал 55В 18А [D-PAK], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 70 руб.

Сравнить

Описание

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon
Infineon, предлагает линейку дискретных мощных МОП-транзисторов HEXFET®, включая P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также форм-факторах, которые подходят почти для всех любая компоновка платы и задача теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRFR5505TRPBF

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

1773165

Технические параметры

Вес, г

0.535

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Серия

HEXFET

Производитель

Infineon

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

6.22мм

Длина

6.73мм

Высота

2.39мм

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.39мм

Количество элементов на ИС

Transistor Configuration

Одинарный

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Максимальное рассеяние мощности

57 Вт

Число контактов

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Типичное время задержки выключения

20 ns

Максимальный непрерывный ток стока

18 А

Материал транзистора

Кремний

Типичное время задержки включения

12 нс

Максимальное сопротивление сток-исток

110 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

32 nC @ 10 V

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

650 pF @ 25 V

Тип канала

A, P

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet IRFR5505, IRFU5505 , pdf , 271 КБ
Datasheet , pdf , 282 КБ
Datasheet , pdf , 114 КБ

IRFR5505TRPBF, Транзистор, Р-канал 55В 18А [D-PAK] - характеристики, поставщики

Последняя цена 70 руб.

Техническая документация