ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF5852TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канал 20В 2.7А [TSOP-6] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
International Rectifier
IRF5852TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канал 20В 2.7А [TSOP-6]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF5852TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канал 20В 2.7А [TSOP-6]
Последняя цена
30 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
International Rectifier
Артикул
IRF5852TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772663
Технические параметры
Вес, г
0.1
Структура
2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
2.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.09 Ом/2.7А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
0.96
Крутизна характеристики, S
5.2
Корпус
TSOP-6/TSOT-23-6
Пороговое напряжение на затворе
0.6…1.25
Техническая документация
IRF5852PBF Datasheet , pdf
, 201 КБ