IRF5801TRPBF SP001570104 IRF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 19 руб.

Сравнить

Описание

Микросхемы

Примечание: !

IRF5801TRPBF - это одноканальный силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® с N-каналом, обеспечивающий низкий заряд затвор-сток для снижения коммутационных потерь. Он подходит для высокочастотных преобразователей постоянного тока, переключателей постоянного тока и переключателей нагрузки.

• Полностью описанные лавинное напряжение и ток
• Полностью определенная емкость, включая эффективные COSS для упрощения конструкции
• Без галогенов

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF5801TRPBF

Категория

ИМС для бытовой РЭА

Номенклатурный номер

1430478

Технические параметры

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Производитель

Infineon

Тип корпуса

Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Ширина

1.5мм

Высота

0.9мм

Число контактов

Размеры

3 x 1.5 x 0.9мм

Серия

HEXFET

Структура

N-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

200

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

0.6

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

5.5

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм

2200

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

Крутизна характеристики S,А/В

0.44

Температура, С

-55...+150

Корпус

TSOP6

Максимальный непрерывный ток стока

600 mA

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Материал транзистора

Количество элементов на ИС

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

6,5 нс

Типичное время задержки выключения

8,8 нс

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

2.2 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

3,9 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

88 пФ при 25 В

Тип канала

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

600mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

200V

Vgs - Gate-Source Voltage

5.5V @ 250uA

Техническая документация

Аналоги микросхем для бытовой РЭА , pdf , 81 КБ
Datasheet IRF5801TRPBF , pdf , 224 КБ

IRF5801TRPBF SP001570104 IRF - характеристики, поставщики

Последняя цена 19 руб.

Техническая документация