ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А [TO-220AB] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А [TO-220AB]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А [TO-220AB]
Последняя цена
70 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRF540NPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772657
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
33
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.044 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
120
Крутизна характеристики, S
21
Корпус
TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе
2…4
Техническая документация
IRF540NPBF Datasheet , pdf
, 154 КБ
IRF540n datasheet , pdf
, 103 КБ