IRF5305STRLPBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [D2-PAK], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 72 руб.

Сравнить

Описание

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon
Infineon, предлагает линейку дискретных мощных МОП-транзисторов HEXFET®, включая P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также форм-факторах, которые подходят почти для всех любая компоновка платы и задача теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF5305STRLPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772652

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.5

Максимальный непрерывный ток стока

31 A

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.65мм

Высота

4.83мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

60 МОм

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

10.67мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

39 нс

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

14 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

63 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1200 pF @ -25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet IRF5305S, IRF5305L , pdf , 701 КБ

IRF5305STRLPBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [D2-PAK] - характеристики, поставщики

Последняя цена 72 руб.

Техническая документация