IRF5210STRLPBF, Транзистор HEXFET, P-канал 100В 40А [D2-PAK], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 400 руб.

Сравнить

Описание

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 100 до 150 В, Infineon
Infineon, предлагает линейку дискретных силовых полевых МОП-транзисторов HEXFET®, включая P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят почти для всех любая компоновка платы и задача теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF5210STRLPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772648

Технические параметры

Вес, г

2.5

Структура

p-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

100

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.06 Ом/38А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

200

Крутизна характеристики, S

Корпус

D2PAK(2 Leads+Tab)

Техническая документация

Datasheet IRF5210S, IRF5210L , pdf , 311 КБ

IRF5210STRLPBF, Транзистор HEXFET, P-канал 100В 40А [D2-PAK] - характеристики, поставщики

Последняя цена 400 руб.

Техническая документация