IRF5210LPBF, Транзистор, HEXFET, -40А,-100В 0.06Ом [TO-262], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 100 до 150 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF5210LPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772646

Технические параметры

Вес, г

2.5

Структура

p-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

100

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.06 Ом/38А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

200

Крутизна характеристики, S

Корпус

TO-262

Пороговое напряжение на затворе

-4

Техническая документация

IRF5210S Datasheet , pdf , 193 КБ
Datasheet IRF5210S, IRF5210L , pdf , 311 КБ

IRF5210LPBF, Транзистор, HEXFET, -40А,-100В 0.06Ом [TO-262] - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация