ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF3808STRLPBF, Транзистор, N-канал 75В 140А авто [D2-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF3808STRLPBF, Транзистор, N-канал 75В 140А авто [D2-PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF3808STRLPBF, Транзистор, N-канал 75В 140А авто [D2-PAK]
Последняя цена
160 руб.
Сравнить
Описание
N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 60 В до 80 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевым HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRF3808STRLPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772635
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
106
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.007 Ом/82a, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
200
Крутизна характеристики, S
100
Корпус
D2PAK(2 Leads+Tab)
Техническая документация
IRF3808SPBF Datasheet , pdf
, 310 КБ
Datasheet IRF3808STRLPBF , pdf
, 260 КБ