IRF3205LPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 55В 110А [TO-262], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 150 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой МОП-транзистор, 55 В, Infineon
Линейка дискретных силовых МОП-транзисторов с HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF3205LPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772610

Технические параметры

Вес, г

2.5

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

110

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.008 Ом/62А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

200

Крутизна характеристики, S

Корпус

TO-262

Техническая документация

Datasheet IRF3205 , pdf , 281 КБ
Datasheet IRF3205LPBF , pdf , 290 КБ

IRF3205LPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 55В 110А [TO-262] - характеристики, поставщики

Последняя цена 150 руб.

Техническая документация