ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF2805STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF2805STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF2805STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRF2805STRLPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772600
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
2.5
Максимальный непрерывный ток стока
135 A
Максимальное рассеяние мощности
200 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
4,7 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10.67мм
Серия
HEXFET
Типичное время задержки выключения
68 нс
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 ns
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
150 нКл
Типичная входная емкость при Vds
5110 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 332 КБ