IRF1010ZSTRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 75А [D2-PAK], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 72 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой МОП-транзистор, 55 В, Infineon
Линейка дискретных силовых МОП-транзисторов с HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF1010ZSTRLPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772579

Технические параметры

Вес, г

2.5

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

D2PAK (TO-263)

Transistor Material

Length

10.67mm

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

63 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

94 A

Maximum Power Dissipation

140 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

11.3mm

Height

4.83mm

Maximum Drain Source Resistance

7.5 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.3V

Forward Transconductance

33s

Dimensions

10.67 x 11.3 x 4.83mm

Typical Turn-On Delay Time

18 ns

Typical Turn-Off Delay Time

36 ns

Техническая документация

IRF1010ZSPBF Datasheet , pdf , 400 КБ

IRF1010ZSTRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 75А [D2-PAK] - характеристики, поставщики

Последняя цена 72 руб.

Техническая документация