IRF1010NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 55В, 85А [D2-PAK], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 67 руб.

Сравнить

Описание

N-CH 55V 84A 11mOhm TO263
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 85 А, Сопротивление открытого канала (мин) 11 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF1010NSTRLPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772577

Технические параметры

Вес, г

2.5

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

D2PAK (TO-263)

Высота

4.83mm

Transistor Material

Кремний

Length

10.67мм

Brand

Infineon

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

120 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Серия

HEXFET

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

85 А

Maximum Power Dissipation

180 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

11.3мм

Maximum Drain Source Resistance

11 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.3V

Техническая документация

IRF1010NSPBF Datasheet , pdf , 293 КБ
IRF1010NSTRLPBF , pdf , 292 КБ

IRF1010NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 55В, 85А [D2-PAK] - характеристики, поставщики

Последняя цена 67 руб.

Техническая документация