IRF1010NPBF, Транзистор, N-канал 55В 72А [TO-220AB], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 81 руб.

Сравнить

Описание

MOSFET, N, 55V, 72A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 68A Resistance, Rds On 0.0125ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 270A Lead Spacing 2.54mm No. of Pins 3 Pin Format 1 g 2 d/tab 3 s Power Dissipation 115W Power, Pd 115W Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 0.011ohm Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Thermal Resistance, Junction to Case A 1.2°C/W Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 55V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 85 А, Сопротивление открытого канала (мин) 11 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF1010NPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772575

Технические параметры

Вес, г

2.5

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.011 Ом/43А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

170

Крутизна характеристики, S

Корпус

TO-220AB

Пороговое напряжение на затворе

2…4

Особенности

автоприложения

Техническая документация

IRF1010N datasheet , pdf , 109 КБ
IRF1010NPBF Datasheet , pdf , 187 КБ

IRF1010NPBF, Транзистор, N-канал 55В 72А [TO-220AB] - характеристики, поставщики

Последняя цена 81 руб.

Техническая документация