IRF1010EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79 А [TO-220AB], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 82 руб.

Сравнить

Описание

N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 60 В до 80 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевым HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF1010EPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772574

Технические параметры

Вес, г

2.5

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.012 Ом/50А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

200

Крутизна характеристики, S

Корпус

TO-220AB

Пороговое напряжение на затворе

2…4

Техническая документация

IRF1010EPBF Datasheet , pdf , 242 КБ
Datasheet IRF1010EPBF , pdf , 251 КБ

IRF1010EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79 А [TO-220AB] - характеристики, поставщики

Последняя цена 82 руб.

Техническая документация