IRF100B202, Транзистор MOSFET N-канал 100В 97А [TO-220АB], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 160 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор TRENCH_МОП-транзисторS

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF100B202

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772573

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.5

Максимальный непрерывный ток стока

97 A

Максимальное рассеяние мощности

221 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.83мм

Высота

16.51мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

8,6 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.3V

Длина

10.67мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

55 нс

Тип корпуса

TO-220

Размеры

10.67 x 4.83 x 16.51мм

Типичное время задержки включения

11 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

3+Tab

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

77 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

4476 пФ при 50 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Прямая активная межэлектродная проводимость

123S

Техническая документация

irf100b202 , pdf , 531 КБ
Datasheet IRF100B202 , pdf , 530 КБ
Datasheet IRF100B202 , pdf , 530 КБ

IRF100B202, Транзистор MOSFET N-канал 100В 97А [TO-220АB] - характеристики, поставщики

Последняя цена 160 руб.

Техническая документация