IPW60R037P7XKSA1, Транзистор N-MOSFET 650В 76A [TO-247-3], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 860 руб.

Сравнить

Описание

'Высоковольтные N-канальные полевые МОП-транзисторы семейства CoolMOS P7. Имеют высокие динамические характеристики. Предназначены для AC-DC импульсных источников питания, адаптеров, зарядных устройств, инверторов.
Особенности CoolMOS P7:
лучшее в классе значение FOM (RDS(on) * Eoss);
наименьшее в классе пороговое напряжение включения V(GS)th от 3 В с малым разбросом ± 0.5 В;
электростатическая защита затвора (ESD класс, HBM).
'
Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 76 А, Сопротивление открытого канала (мин) 37 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPW60R037P7XKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772426

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-247

Рассеиваемая Мощность

255Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

600В

Непрерывный Ток Стока

76А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.03Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

3.5В

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

7.997

Линейка Продукции

CoolMOS P7 Series

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Техническая документация

Infineon-IPW60R037P7-DS-v02_03-EN-1100635 , pdf , 1321 КБ
Datasheet IPW60R037P7XKSA1 , pdf , 1383 КБ
Datasheet IPW60R037P7XKSA1 , pdf , 1250 КБ

IPW60R037P7XKSA1, Транзистор N-MOSFET 650В 76A [TO-247-3] - характеристики, поставщики

Последняя цена 860 руб.

Техническая документация