ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPT015N10N5ATMA1, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPT015N10N5ATMA1, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPT015N10N5ATMA1, Транзистор
Последняя цена
1530 руб.
Сравнить
Описание
Корпус PGHSOF8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 300 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.5 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPT015N10N5ATMA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772424
Технические параметры
Вес, г
0.5
Техническая документация
Datasheet IPT015N10N5ATMA1 , pdf
, 1062 КБ
