IPP80N08S2L07AKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 75В 80А [TO-220-3], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 300 руб.

Сравнить

Описание

Семейство силовых полевых МОП-транзисторов Infineon OptiMOS ™
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP80N08S2L07AKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772380

Технические параметры

Вес, г

2.7

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Ширина

4.57мм

Высота

15.95мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Length

10.36мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Series

OptiMOS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

6,8 мΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

183 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

TO-220

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Maximum Continuous Drain Current

80 А

Maximum Power Dissipation

300 Вт

Maximum Drain Source Voltage

75 В

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

IPP_B80N08S2L , pdf , 250 КБ
Datasheet IPB80N08S2L-07, IPP80N08S2L-07 , pdf , 306 КБ
Datasheet IPP80N08S2L07AKSA1 , pdf , 247 КБ

IPP80N08S2L07AKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 75В 80А [TO-220-3] - характеристики, поставщики

Последняя цена 300 руб.

Техническая документация