IPP60R360P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 6А, 41Вт, PG-TO220-3, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 240 руб.

Сравнить

Описание

'Высоковольтные N-канальные полевые МОП-транзисторы семейства CoolMOS P7. Имеют высокие динамические характеристики. Предназначены для AC-DC импульсных источников питания, адаптеров, зарядных устройств, инверторов.
Особенности CoolMOS P7:
лучшее в классе значение FOM (RDS(on) * Eoss);
наименьшее в классе пороговое напряжение включения V(GS)th от 3 В с малым разбросом ± 0.5 В;
электростатическая защита затвора (ESD класс, HBM).
'
Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 360 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP60R360P7XKSA1

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

2165240

Технические параметры

Вес, г

Другие названия товара №

IPP60R360P7 SP001606036

Категория продукта

МОП-транзистор

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Минимальная рабочая температура

55 C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

500

Серия

CoolMOS P7

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tube

Коммерческое обозначение

CoolMOS

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Package

Tube

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

CoolMOSв„ў P7 ->

Вид монтажа

Through Hole

Base Product Number

IPP60R360 ->

Pd - рассеивание мощности

41 W

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package / Case

TO-220-3

Supplier Device Package

PG-TO220-3

Конфигурация

Single

Тип транзистора

1 N-Channel

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Id - непрерывный ток утечки

9 A

Qg - заряд затвора

13 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

305 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Время нарастания

7 ns

Время спада

10 ns

Канальный режим

Enhancement

Типичное время задержки выключения

42 ns

Типичное время задержки при включении

8 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

9A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

555pF @ 400V

Power Dissipation (Max)

41W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360mOhm @ 2.7A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 140ВµA

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

41W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

650V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 140uA

Техническая документация

Datasheet IPP60R360P7XKSA1 , pdf , 1767 КБ
Datasheet IPP60R360P7XKSA1 , pdf , 1632 КБ

IPP60R360P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 6А, 41Вт, PG-TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 240 руб.

Техническая документация