IPP100N08N3GXKSA1, Транзистор MOSFET N-CH 80В 70А [TO-220-3], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 170 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, от 60 до 80 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP100N08N3GXKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772379

Технические параметры

Вес, г

2.8

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

TO-220

Transistor Material

Length

10.36mm

Brand

Infineon

Series

OptiMOS 3

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

26 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

70 A

Maximum Power Dissipation

100 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.57mm

Height

15.95mm

Maximum Drain Source Resistance

18.2 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.2V

Техническая документация

IPP100N08N3GXKSA1 , pdf , 1022 КБ
Datasheet IPP100N08N3GXKSA1 , pdf , 1022 КБ
Datasheet IPP100N08N3GXKSA1 , pdf , 1011 КБ

IPP100N08N3GXKSA1, Транзистор MOSFET N-CH 80В 70А [TO-220-3] - характеристики, поставщики

Последняя цена 170 руб.

Техническая документация