IPP072N10N3GXKSA1, Транзистор MOSFET N-CH 100V 80A [TO-220-3], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 170 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP072N10N3GXKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772377

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.8

Максимальный непрерывный ток стока

80 А

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

15.95мм

Высота

4.57мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

7,2 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.36мм

Серия

OptiMOS 3

Типичное время задержки выключения

37 нс

Тип корпуса

TO-220

Размеры

10.36 x 15.95 x 4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

19 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

51 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

3690 пФ при 50 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

IPP072N10N3 , pdf , 578 КБ
Datasheet IPP072N10N3GXKSA1 , pdf , 571 КБ
Datasheet IPP072N10N3GXKSA1 , pdf , 574 КБ

IPP072N10N3GXKSA1, Транзистор MOSFET N-CH 100V 80A [TO-220-3] - характеристики, поставщики

Последняя цена 170 руб.

Техническая документация