IPP030N10N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 100А, 300Вт, Ugs ±20В, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 323 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP030N10N3GXKSA1

Категория

Измерительная техника

Номенклатурный номер

1974216

Технические параметры

Вес, г

1.66

Другие названия товара №

G IPP030N10N3 IPP3N1N3GXK SP000680768

Категория продукта

МОП-транзистор

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

500

Серия

OptiMOS 3

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tube

Brand

Infineon

Коммерческое обозначение

OptiMOS

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Package

Tube

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

OptiMOS 3

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Ширина

4.57мм

Длина

10.36мм

Вид монтажа

Through Hole

Dimensions

10.36 x 4.57 x 15.95mm

Length

10.36mm

Base Product Number

IPP030 ->

Высота

15.95мм

Количество каналов

1 Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package / Case

TO-220-3

Supplier Device Package

PG-TO220-3

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Number of Elements per Chip

Package Type

TO-220

Width

4.57mm

Pin Count

Конфигурация

Single

Transistor Configuration

Single

Тип корпуса

TO-220

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Тип транзистора

1 N-Channel

Число контактов

Полярность транзистора

N-Channel

Технология

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Power Dissipation

300 W

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Maximum Drain Source Resistance

4.8 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Typical Gate Charge @ Vgs

155 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Id - непрерывный ток утечки

100 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

3 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

100A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

206nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

14800pF @ 50V

Power Dissipation (Max)

300W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 100A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 275ВµA

Height

15.95mm

Максимальный непрерывный ток стока

100 А

Материал транзистора

Кремний

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Типичный заряд затвора при Vgs

155 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

Forward Diode Voltage

1.2V

Forward Transconductance

188s

Typical Turn-On Delay Time

34 ns

Typical Turn-Off Delay Time

84 ns

Техническая документация

Datasheet , pdf , 535 КБ
Datasheet IPP030N10N3GXKSA1 , pdf , 537 КБ

IPP030N10N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 100А, 300Вт, Ugs ±20В - характеристики, поставщики

Последняя цена 323 руб.

Техническая документация