ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор N-MOSFET 700В 6A [TO252-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор N-MOSFET 700В 6A [TO252-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор N-MOSFET 700В 6A [TO252-3]
Последняя цена
46 руб.
Сравнить
Описание
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 700 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 900 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPD70R900P7SAUMA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772370
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252
Рассеиваемая Мощность
30.5Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
700В
Непрерывный Ток Стока
6А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.74Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
3В
Вес, г
0.6
Линия Продукции
CoolMOS P7 Series
Техническая документация
Datasheet IPD70R900P7S , pdf
, 1027 КБ
Datasheet IPD70R900P7SAUMA1 , pdf
, 1203 КБ