IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор MOSFET N-CH 100В 35A [TO-252 / DPAK], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 170 руб.

Сравнить

Описание

• Соответствие стандарту AEC-Q101
• MSL1 при пиковом оплавлении до 260 ° C
• Экологичное устройство
• 100% протестировано на лавинах
• Прочные корпуса с превосходным качеством и надежностью
• Оптимизированы общий заряд затвора позволяет уменьшить выходные каскады драйвера

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPD35N10S3L26ATMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772368

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.4

Ширина

6.22 mm

Высота

2.3 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

35 A

Pd - рассеивание мощности

71 W

Qg - заряд затвора

39 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

20 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

4 ns

Время спада

3 ns

Длина

6.5 mm

Другие названия товара №

IPD35N10S3L-26 SP000386184

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

XPD35N10

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

18 ns

Типичное время задержки при включении

6 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-252-3

Квалификация

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet IPD35N10S3L-26 , pdf , 178 КБ
Datasheet IPD35N10S3L26ATMA1 , pdf , 178 КБ

IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор MOSFET N-CH 100В 35A [TO-252 / DPAK] - характеристики, поставщики

Последняя цена 170 руб.

Техническая документация