IPB027N10N3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 100 В, 0.0023 Ом, 10 В, 2.7 В, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 670 руб.

Сравнить

Описание

N-CH 100V 120A 3mOhm TO263-3
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 120 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2.7 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPB027N10N3GATMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772362

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-263

Рассеиваемая Мощность

300Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

100В

Непрерывный Ток Стока

120А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.0023Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

2.7В

Вес, г

1.6

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Техническая документация

Datasheet , pdf , 139 КБ
Datasheet , pdf , 530 КБ
Datasheet , pdf , 532 КБ

IPB027N10N3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 100 В, 0.0023 Ом, 10 В, 2.7 В - характеристики, поставщики

Последняя цена 670 руб.

Техническая документация