IPB026N06NATMA1, Транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 280 руб.

Сравнить

Описание

Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 100 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2.6 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPB026N06NATMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772361

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.1

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное рассеяние мощности

136 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

11.05мм

Высота

4.57мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

3.9 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.2V

Длина

10.31мм

Серия

OptiMOS 5

Типичное время задержки выключения

30 нс

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.31 x 11.05 x 4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

17 нс

Производитель

Infineon

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

56 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

4100 пФ при 30 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Прямая активная межэлектродная проводимость

160S

Техническая документация

Datasheet IPB026N06NATMA1 , pdf , 601 КБ
Datasheet , pdf , 543 КБ

IPB026N06NATMA1, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 280 руб.

Техническая документация