PSS75SA2FT, IGBT модуль 1200В 6 версия
Производитель: Mitsubishi, PSS75SA2FT
CM300DX-34T#310G, IGBT модуль T серия NX типа
Производитель: Mitsubishi, CM300DX-34T#310G
CM150DY-24T#300G, IGBT модуль T серии стандартного типа 1200В
Производитель: Mitsubishi, CM150DY-24T#300G
BSM25GD120DN2BOSA1
Производитель: Infineon Technologies
• Полномостовая схема на 3 фазы• Время нарастания 130нс• Время спада 100нс• Напряжение затвор - эмиттер ±20В
SKM400GB125D, Модуль
Производитель: Semikron Elektronik, SKM400GB125D
Двойные модули IGBT Серия модулей SEMITOP® IGBT от Semikron, включающих два последовательно соединенных (полумостовых) устро…
SKM400GB066D, IGBT модуль dual SKM400GB
Производитель: Semikron Elektronik, SKM400GB066D
Двойные модули IGBT Серия модулей SEMITOP® IGBT от Semikron, включающих два последовательно соединенных (полумостовых) устро…
FF1400R17IP4BOSA1
Производитель: Infineon Technologies
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.7 кВ, Рабочий ток при 25°C 1.4 кА
FP15R12W1T4B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 28 А, 1.85 В, 130 Вт, 1.2 кВ, Module
Производитель: Infineon Technologies, FP15R12W1T4B11BOMA1
SKM400GB126D, Модуль
Производитель: Semikron Elektronik, SKM400GB126D
IGBT MODULE, DUAL, 1200V Transistor Type IGBT Module Transistor Polarity N Channel Voltage, Vces 1200V Current Ic Continuous a Max 260A Voltage, Vce…
SKM150GB12T4, Транзистор
Производитель: Semikron Elektronik, SKM150GB12T4
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А