IDH20G120C5XKSA1, 1200V 56A, SiC Schottky Diode, 2 + Tab-Pin TO-220, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1160 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

thinQ! Карбид кремния (SiC) Диод Шоттки, Infineon
Infineon thinQ! ™ Поколение 5 предлагает новую технологию тонких пластин для SiC-диодов с барьером Шоттки, улучшающую тепловые характеристики. Устройства на SiC диоде Шоттки обладают преимуществами высоковольтных силовых полупроводников, таких как более высокая напряженность поля пробоя и улучшенная теплопроводность, что обеспечивает более высокий уровень эффективности. Это последнее поколение подходит для использования в телекоммуникационных SMPS и высокопроизводительных серверах, системах ИБП, моторных приводах, солнечных инверторах, а также в приложениях для ПК Silverbox и освещения.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IDH20G120C5XKSA1

Категория

Шоттки

Номенклатурный номер

1248883

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Diode Configuration

Single

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Минимальная рабочая температура

55 C

Maximum Forward Voltage Drop

2.6V

Diode Technology

SiC Schottky

If - прямой ток

20 A

Pd - рассеивание мощности

330 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Диоды и выпрямители Шоттки

Подкатегория

Diodes Rectifiers

Продукт

Schottky Silicon Carbide Diodes

Размер фабричной упаковки

500

Тип продукта

Schottky Diodes Rectifiers

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-220-2

Base Product Number

IDH20G120 ->

Capacitance @ Vr, F

1050pF @ 1V, 1MHz

Current - Average Rectified (Io)

56A (DC)

Current - Reverse Leakage @ Vr

123ВµA @ 1200V

Diode Type

SiC Schottky

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.10.0080

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature - Junction

-55В°C ~ 175В°C

Package

Tube

Package / Case

TO-220-2

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Speed

No Recovery Time > 500mA (Io)

Supplier Device Package

PG-TO220-2-1

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)

1200V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 20A

Ir - обратный ток

8.5 uA

Vf - прямое напряжение

1.5 V

Vr - обратное напряжение

1.2 kV

Конфигурация

Single

Brand

Infineon

REACH Status

REACH Unaffected

Pin Count

2 + Tab

Number of Elements per Chip

Другие названия товара №

IDH20G120C5 SP001347054

Peak Reverse Repetitive Voltage

1200V

Ifsm - ударный прямой ток

198 A

Vrrm - повторяющееся обратное напряжение

1.2 kV

Технология

SiC

Maximum Continuous Forward Current

56A

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current

198A

Series

CoolSiCв„ў+ ->

Коммерческое обозначение

CoolSiC

Техническая документация

Диоды импортные , pdf , 305 КБ
Datasheet IDH20G120C5XKSA1 , pdf , 1115 КБ
Datasheet IDH20G120C5XKSA1 , pdf , 883 КБ

IDH20G120C5XKSA1, 1200V 56A, SiC Schottky Diode, 2 + Tab-Pin TO-220 - характеристики, поставщики

Последняя цена 1160 руб.

Техническая документация