ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
HY4306B6, Транзистор Enhancement Mode MOSFET 60В 290А [TO-263-6L] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
HUAYI
HY4306B6, Транзистор Enhancement Mode MOSFET 60В 290А [TO-263-6L]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
HY4306B6, Транзистор Enhancement Mode MOSFET 60В 290А [TO-263-6L]
Последняя цена
130 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
HUAYI
Артикул
HY4306B6
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1771818
Технические параметры
Вес, г
3
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
290A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
375W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
2.2mО© @ 140A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60V
Vgs - Gate-Source Voltage
4V @ 250uA
Техническая документация
Datasheet HY4306B6 , pdf
, 663 КБ
Datasheet , pdf
, 630 КБ
![HY4306B6, Транзистор Enhancement Mode MOSFET 60В 290А [TO-263-6L]](/file/p_img/1771818.jpg)