ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
HY3403D, Транзистор N-CH Enhancement Mode MOSFET 30В 100А [D-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
HUAYI
HY3403D, Транзистор N-CH Enhancement Mode MOSFET 30В 100А [D-PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
HY3403D, Транзистор N-CH Enhancement Mode MOSFET 30В 100А [D-PAK]
Последняя цена
71 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
HUAYI
Артикул
HY3403D
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1771817
Технические параметры
Вес, г
0.4
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
100A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
60W
Rds On - Drain-Source Resistance
3mО© @ 50A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30V
Vgs - Gate-Source Voltage
3V @ 250uA
Техническая документация
HY3403D , pdf
, 689 КБ
Datasheet , pdf
, 785 КБ
![HY3403D, Транзистор N-CH Enhancement Mode MOSFET 30В 100А [D-PAK]](/file/p_img/1771817.jpg)