HY3008B, Транзистор N-MOSFET 80В 100A [TO-263-2L] - характеристики, поставщики

HY3008B, Транзистор N-MOSFET 80В 100A [TO-263-2L]

Последняя цена 114 руб.

HY3008B, Транзистор N-MOSFET 80В 100A [TO-263-2L]

Сравнить

Информация

Производитель

HUAYI

Артикул

HY3008B

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1771814

Технические параметры

Вес, г

2.7

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

100A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

200W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

8.5mО© @ 50A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

80V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

1811151154_HUAYI-HY3008B_C330373 , pdf , 2158 КБ