H11G1M, Оптопара высоковольтная с транзисторным выходом (составной транзистор) [DIP-6], Fairchild Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

• 100 мкА при 80 ° C Максимальный низкий ток утечки
• Максимальное рабочее напряжение изоляции 850 В
• 6000 В Высокое допустимое перенапряжение

Производитель

Fairchild Semiconductor

Артикул

H11G1M

Категория

Изолирующие драйверы IGBT|MOSFET

Номенклатурный номер

1742160

Корпус

dip-6

Вес, г

Количество каналов

Напряжение изоляции (RMS), В

4170

Коэффициент передачи по току (Min), %

1000

Тип выхода

Транзистор (Дарлингтон) с базой

Напряжение выхода, В

100

Рабочая температура, °C

-40…+100

Тип входа

H11G1M, Оптопара высоковольтная с транзисторным выходом (составной транзистор) [DIP-6] - характеристики, поставщики